9月18日下午，在希望大道校区博学楼B512，中国科学院半导体研究所慈鹏弘副研究员应邀到我校作学术报告。报告会由数理学院院长徐宁主持。

报告会上，慈鹏弘副研究员以《二维半导体缺陷能级探测与物性调控》为题，介绍了二维半导体中缺陷能级的探测与缺陷调控二维半导体物性的研究进展，包括：利用深能级瞬态谱的方法，精确表征本征缺陷在MoS₂、WS₂及其合金能带中引入深能级的精确位置；介绍DX center缺陷导致的二维半导体永久光电流效应及物理机制；通过螺旋位错缺陷，调制二维半导体的面内对称性，并利用角度分辨的二次谐波光谱研究了螺旋位错打破面内三重旋转对称性的物理机理。此外，报告人还面向与会的青年教师传授了国家基金申报的经验，针对申请书的各个部分做了详细的讲解，特别指出初次写申请书可能存在的误区。在交流环节中，慈鹏弘副研究员与参会师生针对二维材料、缺陷结构分析和国家基金申报等问题展开了深入的交流和讨论。

慈鹏弘，中国科学院半导体研究所，副研究员。2020年博士毕业于加州大学伯克利分校。主要从事低维半导体的缺陷性质与极化光电子器件研究。主持国家重点研发计划课题、国家自然科学基金面上项目和青年项目。以第一作者身份，在Nat. Commun.、PRL、Nano Lett. 等权威期刊发表多篇学术论文。